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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

五十嵐征輝編著. -- CQ出版, 2011. -- (Power electronics). <BB00179941>
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

五十嵐征輝編著. -- CQ出版, 2011. -- (Power electronics). <BB00179941>
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所蔵一覧 1件～1件（全1件）

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No. 巻号 所蔵館 配置場所 請求記号 資料ID 状態 コメント 予約 WEB書棚
0001 相模原分館 相2F一般500 549.6||I23P 881102318 0件
No. 0001
巻号
所蔵館 相模原分館
配置場所 相2F一般500
請求記号 549.6||I23P
資料ID 881102318
状態
コメント
予約 0件
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書誌詳細

標題および責任表示 パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 / 五十嵐征輝編著
パワー デバイス IGBT カツヨウ ノ キソ ト ジッサイ : MOSFET ト トランジスタ ノ トクチョウ オ イカシタ スイッチング ソシ
出版・頒布事項 東京 : CQ出版 , 2011.4
形態事項 183p ; 21cm
巻号情報
ISBN 9784789836098
書誌構造リンク Power electronics <BB00029807>//a
注記 参考文献: p177-178
NCID BB05523583
本文言語コード 日本語
著者標目リンク 五十嵐, 征輝(1960-)||イガラシ, セイキ <AU60024377>
分類標目 電子工学 NDC8:549.6
分類標目 電子工学 NDC9:549.6
件名標目等 トランジスター||トランジスター
件名標目等 パワーエレクトロニクス||パワーエレクトロニクス
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